由SEMI中国主办，中共安溪县委、安溪县人民政府协办，中共安溪县委人才办、泉州芯谷安溪分园区管委会、福建晶安光电有限公司联合承办的“化合物半导体创新应用及关键技术论坛”于2019年9月27日在安溪永隆国际酒店举行。



化合物半导体材料的高电子迁移率、直接能隙与宽能带等特性，恰好符合未来半导体发展所需，是新一代半导体发展的关键。化合物半导体创新应用及关键技术论坛专家们就氮化镓、碳化硅等材料的应用展开了热烈的讨论和技术分享。



会议由合晶科技首席技术官李文中、晶安光电副总经理谢斌晖主持。中共安溪县委组织部长陈友爱出席会议，副县长吴志朴致欢迎词。来自化合物半导体产业链领先企业瀚天天成、錼创科技、三安光电、Cerromax、晶安光电、芯冠科技、Beneq、PSS、蓝雨等参加本次论坛并做报告分享，中外产业界近200名嘉宾出席了本次会议。



瀚天天成总经理冯淦向与会嘉宾介绍150mm碳化硅外延生长技术进展与产业化趋势。冯淦提到碳化硅外延起到承上启下作用，如何减小缺陷及位错将直接影响功率器件的良率。



三安光电副总经理张中英介绍半导体照明产品全技术链绿色制造技术。随着行业需求的发展，在保证产品的功能、质量、成本的前提下，针对生产过程相关制造工艺的绿色度进行评估，建立绿色制造评价模型和标准，综合考虑环境影响和资源效率的现代制造模式，寻求对环境影响最小、资源能源利用率最高、人体健康与社会危害最小，协调优化企业经济效益与社会效益。



錼创科技副处长林京亮介绍MicroLED关键量产技术。如今MicroLED的应用非常广泛，机遇也相当多，同时也存在诸多挑战。



Cerromax总经理章威纵从衬底、外延层、封装等方面探讨了碳化硅器件设计与制造方面的思考。



芯冠科技技术副总王荣华谈及氮化镓材料在LED、射频器件、功率器件方面的应用，氮化镓电力电子器件性能卓越，在部分场景（1200 V/10 kW 以下）逐步替代硅器件，与硅器件共存互补。



Beneq朱桢介绍原子层沉积技术在化合物半导体的工业应用：功率，射频及光电子器件。



PSS (Precision Surface Solutions)销售总监Reto Bucher介绍碳化硅切片、双面研磨、双面抛光的整线解决方案。



苏州纳米技术与纳米仿生所刘建平介绍GaN基蓝光和绿光激光器研究进展。均相外延，优化P型掺杂，促进优化GaN基LDs。



蓝雨软件技术总经理盛阳介绍Crosslight软件在化合物微电子和光电子器件仿真中的应用。



合晶科技首席技术官李文中谈及优化衬底促进氮化镓化合物半导体功率器件发展。硅基氮化镓被应用与micro-LED、射频器件、功率器件，合晶科技通过降低缺陷、提高电阻率、优化材料，提供适用于氮化镓器件的具有更优越性能的硅片。